晏铭工程师、曾光明教授等申请国家发明专利 1 项
发布日期：2016年05月13日 阅读： 次
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| 晏铭工程师、曾光明教授等申请国家发明专利 1 项： 【发明人】：晏铭，曾光明，陶林暄，张鹏，张海波，王菡，常慧敏，陈晨，杨光 【发明名称】：硅烷偶联剂修饰纳米管阵列材料的制备方法和应用 【申请日】：2016年1月29日 【专利申请号】：201610062344.4 【摘要】:本发明公开了一种硅烷偶联剂修饰纳米管阵列材料的制备方法和应用。该纳米管阵列材料为二氧化钛纳米管阵列。制备方法包括硅烷偶联剂修饰体系及体系的优化。修饰后的纳米材料不仅作为固定在修饰材料表面的空穴捕获剂，而且可以提高亲水性二氧化钛纳米材料表面和疏水性有机物的亲和能力。与对照（未修饰处理）相比，铜离子的还原效率提高了两倍，对Cr（VI）的还原效率提高一倍。紫外光下四溴联苯醚的2h内从72%上升到92%。在同时去除亲水性和亲脂性污染物复合污染具有良好的应用前景。本发明制备方法简单、修饰后的硅烷偶联剂以化学键的形式结合在材料表面，可反复使用。 |
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发布时间：2016-05-13 |
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